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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2N5551TA

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4825141

2N5551TA

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$0.038

50000+

$0.033

100000+

$0.03

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2N5551TA
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

2N5551TA.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

160V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-92-3
Série

-
Power - Max

625mW
Embalagem

Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes

2N5551TA-ND
2N5551TAFSTB
2N5551TATB
2N5551TATB-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

17 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

100MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

600mA
Número da peça base

2N5551

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Forma de pagamento

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