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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > AOTF8N65

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Imagem AOTF8N65.

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOTF8N65

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

AOTF8N65
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 8A TO220F
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.AOTF8N65.pdf
2.AOTF8N65.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220-3F
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.15 Ohm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max)

50W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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