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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > DMN1003UCA6-7

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7071718

Imagem DMN1003UCA6-7.

Diodes Incorporated

DMN1003UCA6-7

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10+

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$0.721

500+

$0.56

1000+

$0.442

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN1003UCA6-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN1003UCA6-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor

X3-DSN3518-6
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

-
Power - Max

2.67W
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

6-SMD, No Lead
Outros nomes

DMN1003UCA6-7DICT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3315pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

56.5nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

-
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 2.67W Surface Mount X3-DSN3518-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

-

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