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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMN3018SFGQ-13

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270271

Imagem DMN3018SFGQ-13.

Diodes Incorporated

DMN3018SFGQ-13

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN3018SFGQ-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN3018SFGQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerDI3333-8
Série

Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS

21 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerVDFN
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

697pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 8.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8.5A (Ta)

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