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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMN32D2LFB4-7

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Imagem DMN32D2LFB4-7.

Diodes Incorporated

DMN32D2LFB4-7

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN32D2LFB4-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN32D2LFB4-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

X2-DFN1006-3
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.2 Ohm @ 100mA, 4V
Dissipação de energia (Max)

350mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

3-XFDFN
Outros nomes

DMN32D2LFB47
DMN32D2LFB4DITR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

14 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

39pF @ 3V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 4V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

300mA (Ta)

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