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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > ZXMN2A02X8TA

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Imagem ZXMN2A02X8TA.

Diodes Incorporated

ZXMN2A02X8TA

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Disponível

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10+

$0.94

100+

$0.721

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

ZXMN2A02X8TA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

ZXMN2A02X8TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-MSOP
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

20 mOhm @ 11A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

1.1W (Ta)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Outros nomes

1034-ZXMN2A02X8DKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.1W (Ta) 8-MSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6.2A (Ta)

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