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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > RFN5BGE3STL

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2931995

Imagem RFN5BGE3STL.

LAPIS Semiconductor

RFN5BGE3STL

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$0.584

500+

$0.433

1000+

$0.346

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RFN5BGE3STL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

SUPER FAST RECOVERY DIODE
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RFN5BGE3STL.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

1.5V @ 5A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

350V
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-252GE
Velocidade

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

30ns
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

RFN5BGE3STLCT
Temperatura de Operação - Junção

150°C (Max)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode

Standard
Descrição detalhada

Diode Standard 350V 5A Surface Mount TO-252GE
Atual - dispersão reversa @ Vr

10µA @ 350V
Atual - rectificada média (Io)

5A
Capacitância @ Vr, F

-

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