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862369Imagem APT10SCD120BCT.Microsemi

APT10SCD120BCT

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    APT10SCD120BCT
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    APT10SCD120BCT.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.8V @ 10A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    1200V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-247
  • Velocidade
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Série
    -
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    0ns
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-247-3
  • Temperatura de Operação - Junção
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Silicon Carbide Schottky
  • configuração de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descrição detalhada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247-3
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Atual - rectificada média (Io) (por Diode)
    36A (DC)

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Envio
Pagamento
O seguinte é "APT10SCD120BCT" produtos relacionados.
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Descrição: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Descrição: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Descrição: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Descrição: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Descrição: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Descrição: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Descrição: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Descrição: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Descrição: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Descrição: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Descrição: IGBT 600V 183A 780W TO264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Descrição: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Descrição: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Descrição: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Descrição: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Descrição: IGBT 600V 41A 187W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descrição: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Descrição: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Descrição: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Descrição: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
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