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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT68GA60B
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5954962Imagem APT68GA60B.Microsemi

APT68GA60B

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$10.25
10+
$9.229
30+
$8.409
120+
$7.589
270+
$6.973
510+
$6.358
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    APT68GA60B
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IGBT 600V 121A 520W TO-247
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 40A
  • Condição de teste
    400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (ligar / desligar) @ 25 ° C
    21ns/133ns
  • Alternando Energia
    715µJ (on), 607µJ (off)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-247 [B]
  • Série
    POWER MOS 8™
  • Power - Max
    520W
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-247-3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    29 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    PT
  • portão de carga
    298nC
  • Descrição detalhada
    IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-247 [B]
  • Atual - Collector Pulsada (ICM)
    202A
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    121A
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Descrição: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Descrição: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Descrição: IGBT 600V 198A 833W TO264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Descrição: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Descrição: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT65GP60J

APT65GP60J

Descrição: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT6M100K

APT6M100K

Descrição: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Descrição: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Descrição: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT66M60B2

APT66M60B2

Descrição: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT66M60L

APT66M60L

Descrição: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT66F60L

APT66F60L

Descrição: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR120J

APT70GR120J

Descrição: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR65B

APT70GR65B

Descrição: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR120L

APT70GR120L

Descrição: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Descrição: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT64GA90B

APT64GA90B

Descrição: IGBT 900V 117A 500W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT66F60B2

APT66F60B2

Descrição: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível

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