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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STF11N65K3
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3804983Imagem STF11N65K3.STMicroelectronics

STF11N65K3

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STF11N65K3
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 650V 11.0A TO220FP
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STF11N65K3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-220FP
  • Série
    SuperMESH3™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    850 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    35W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-220-3 Full Pack
  • Outros nomes
    497-12565-5
    STF11N65K3-ND
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1180pF @ 50V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    650V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 650V 11A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

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27/09/2024
Envio
Pagamento
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