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Imagem STH275N8F7-6AG.

STMicroelectronics

STH275N8F7-6AG

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Disponível

1000+

$2.737

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

STH275N8F7-6AG
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STH275N8F7-6AG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

H2PAK-6
Série

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2.1 mOhm @ 90A, 10V
Dissipação de energia (Max)

315W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Outros nomes

497-15474-2
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

38 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

193nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

80V
Descrição detalhada

N-Channel 80V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

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