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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TSM1NB60SCT A3

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TSM1NB60SCT A3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TSM1NB60SCT A3
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V TO92
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

TSM1NB60SCT A3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-92
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

10 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Tc)
Caixa / Gabinete

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes

TSM1NB60SCTA3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

500mA (Tc)

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