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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TSM2N100CP ROG

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3692025

Imagem TSM2N100CP ROG.

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM2N100CP ROG

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Disponível

1+

$1.18

10+

$1.041

100+

$0.823

500+

$0.638

1000+

$0.504

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TSM2N100CP ROG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TSM2N100CP ROG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-252, (D-Pak)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

77W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

TSM2N100CP ROGCT
TSM2N100CP ROGCT-ND
TSM2N100CPROGCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante

52 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1000V
Descrição detalhada

N-Channel 1000V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.85A (Tc)

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