Segundo relatos, a Samsung reduziu o uso de fotorresistentes espessos (PR) em seu mais recente processo de litografia 3D NAND, resultando em economia de custos significativa.No entanto, esse movimento pode afetar seu fornecedor coreano Dongjin Semiconductor.
A Samsung reduziu o uso de RP para a produção de NAND 3D pela metade, reduzindo o consumo de 7-8 cc por revestimento para 4-4,5 cc.Os analistas da indústria prevêem que a receita do semicondutor de Dongjin pode diminuir, destacando o impacto mais amplo das medidas de corte de custos na dinâmica da cadeia de suprimentos.
É relatado que a Samsung está comprometida em melhorar a eficiência do processo NAND e reduzir os custos, e reduziu com sucesso o uso do fotorresista em duas inovações principais.Em primeiro lugar, a Samsung otimizou as revoluções por minuto (RPM) e a velocidade da máquina de revestimento durante o processo de aplicação, reduzindo o uso do PR, mantendo as condições ideais de gravação e economizando significativamente custos, mantendo a qualidade do revestimento.Em segundo lugar, o processo de gravação após a aplicação de relações públicas foi melhorado e, embora o uso do material tenha sido reduzido, ainda podem ser obtidos resultados equivalentes ou melhores.
O aumento nas camadas de empilhamento no 3D NAND aumentou os custos de produção.Para melhorar a eficiência, a Samsung adotou o KRF PR em sua 7ª e 8ª geração NAND, permitindo a formação de múltiplas camadas em uma única aplicação.Embora o KRF PR seja altamente adequado para os processos de empilhamento, sua alta viscosidade coloca desafios para revestir a uniformidade e aumentar a complexidade da produção.A produção de relações públicas envolve processos complexos, padrões de alta pureza, extensa pesquisa e desenvolvimento e ciclos de validação longos, estabelecendo enormes barreiras técnicas para novos participantes no mercado.
