Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > 1N5407G
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
5706644Imagem 1N5407G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N5407G

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$0.39
10+
$0.295
100+
$0.184
500+
$0.126
1000+
$0.097
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    1N5407G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    1N5407G.pdf
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1V @ 3A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    800V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    Axial
  • Velocidade
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Bulk
  • Caixa / Gabinete
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Outros nomes
    1N5407GOS
  • Temperatura de Operação - Junção
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    11 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 800V 3A Through Hole Axial
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    10µA @ 800V
  • Atual - rectificada média (Io)
    3A
  • Capacitância @ Vr, F
    -
  • Número da peça base
    1N5407

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

21/11/2024

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

20/11/2024

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

18/11/2024

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

17/11/2024

Expandindo a produção de painéis OLED, a LG Display inve...

15/11/2024

A Amazon aumenta os esforços para criar chips de IA person...

14/11/2024

O lucro líquido do terceiro trimestre de Pegatron foi de N...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

A Coréia do Sul planeja promulgar o ato de chip para comba...

13/11/2024
Envio
Pagamento
O seguinte é "1N5407G" produtos relacionados.
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
1N5407

1N5407

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Fairchild/ON Semiconductor
Disponível
RFQ
1N5407G-T

1N5407G-T

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
1N5407-TP

1N5407-TP

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Disponível
RFQ
1N5407RL

1N5407RL

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: ON Semiconductor
Disponível
RFQ
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Disponível
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
1N5406TA

1N5406TA

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Disponível
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
1N5407G A0G

1N5407G A0G

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
1N5407

1N5407

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: ON Semiconductor
Disponível
RFQ
1N5407-G

1N5407-G

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Comchip Technology
Disponível
RFQ
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
1N5407-B

1N5407-B

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
1N5407RLG

1N5407RLG

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.
SEGUE-NOS
termos e CondiçõesPolítica de infraçãoSolicitar uma cotaçãoSobre nósContate-nosMapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.