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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2N5415

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5539440

2N5415

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2N5415
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

PNP 10W 200V 1A TRANSISTOR
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

2N5415.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

200V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-39
Série

-
Power - Max

1W
Embalagem

-
Caixa / Gabinete

TO-39
Temperatura de operação

-
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 200V 100mA 1W Through Hole TO-39
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

50µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

2N5415

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