2N6517RLRA

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Especificações

Modelo do Produto

2N6517RLRA
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 350V 0.5A TO-92
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

2N6517RLRA.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

350V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-92-3
Série

-
Power - Max

625mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

200MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 50mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

500mA
Número da peça base

2N6517

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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