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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SD1815T-H

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2538217

Imagem 2SD1815T-H.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SD1815T-H

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2SD1815T-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 100V 3A TP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

2SD1815T-H.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 150mA, 1.5A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TP
Série

-
Power - Max

1W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

180MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 180MHz 1W Through Hole TP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

3A
Número da peça base

2SD1815

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Forma de pagamento

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