3LP01C-TB-H

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Especificações

Modelo do Produto

3LP01C-TB-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 30V 100MA CP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

3LP01C-TB-H.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

3-CP
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

10.4 Ohm @ 50mA, 4V
Dissipação de energia (Max)

250mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7.5pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

1.43nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.5V, 4V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

P-Channel 30V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

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Remessa
Forma de pagamento

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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BSS123LT3G

Descrição: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

3LP01C-TB-H

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