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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > BCV26_L99Z

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BCV26_L99Z

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BCV26_L99Z
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS DARL PNP 30V 1.2A SOT-23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

BCV26_L99Z.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

30V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100µA, 100mA
Tipo transistor

PNP - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3
Série

-
Power - Max

350mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

220MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30V 1.2A 220MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

1.2A

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