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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > BDX53B

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5915825

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BDX53B

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BDX53B
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

BDX53B.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

80V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

2V @ 12mA, 3A
Tipo transistor

NPN - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

-
Power - Max

65W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Temperatura de operação

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 8A 65W Through Hole TO-220AB
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 3A, 3V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

8A
Número da peça base

BDX53

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Descrição: TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descrição: TRANS PNP 80V 10A TO-220

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BDX53B-S

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Descrição: TRANS NPN DARL 80V 8A

Fabricantes: Bourns, Inc.

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