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BFL4001-1E

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Especificações

Modelo do Produto

BFL4001-1E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 900V 4.1A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

BFL4001-1E.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2.7 Ohm @ 3.25A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2W (Ta), 37W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

900V
Descrição detalhada

N-Channel 900V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.1A (Tc)

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