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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > BSV52LT1G

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1962660

Imagem BSV52LT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BSV52LT1G

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30000+

$0.032

75000+

$0.03

150000+

$0.027

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BSV52LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

BSV52LT1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

12V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3 (TO-236)
Série

-
Power - Max

225mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

BSV52LT1G-ND
BSV52LT1GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

400MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 100mA 400MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

BSV52

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