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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > BUB323ZT4G

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6026392

Imagem BUB323ZT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BUB323ZT4G

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1600+

$1.191

2400+

$1.108

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BUB323ZT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

BUB323ZT4G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

350V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1.7V @ 250mA, 10A
Tipo transistor

NPN - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor

D2PAK
Série

-
Power - Max

150W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

BUB323ZT4GOS
BUB323ZT4GOS-ND
BUB323ZT4GOSTR
Temperatura de operação

-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

2MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Surface Mount D2PAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

500 @ 5A, 4.6V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

10A
Número da peça base

BUB323

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