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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > BUD42DG

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1044677

Imagem BUD42DG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BUD42DG

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BUD42DG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 350V 4A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

BUD42DG.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

350V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 2A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

-
Power - Max

25W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 4A 25W Surface Mount DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 2A, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

4A
Número da peça base

BUD42

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Forma de pagamento

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