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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > BUL45G

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2842258

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BUL45G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BUL45G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 400V 5A TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

BUL45G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

400V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 400mA, 2A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

SWITCHMODE™
Power - Max

75W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

BUL45GOS
Temperatura de operação

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

12MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 5A 12MHz 75W Through Hole TO-220AB
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

14 @ 300mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

5A
Número da peça base

BUL45

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