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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTC143EET1G

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3042200

Imagem DTC143EET1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

DTC143EET1G

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$0.01

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DTC143EET1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DTC143EET1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-75, SOT-416
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-75, SOT-416
Outros nomes

DTC143EET1G-ND
DTC143EET1GOSTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

2 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

DTC143

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Envio

Pagamento

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