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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > EFC6612R-A-TF

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3532405

Imagem EFC6612R-A-TF.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

EFC6612R-A-TF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

EFC6612R-A-TF
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id

-
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-CSP (1.77x3.54)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

-
Power - Max

2.5W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-SMD, No Lead
Temperatura de operação

-
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

-
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

-

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