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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FCI25N60N-F102

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Imagem FCI25N60N-F102.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCI25N60N-F102

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$5.705

500+

$4.62

1000+

$3.896

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FCI25N60N-F102
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FCI25N60N-F102.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I2PAK (TO-262)
Série

SupreMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

125 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

216W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes

FCI25N60N_F102
FCI25N60N_F102-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3352pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

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