FCPF650N80Z

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Especificações

Modelo do Produto

FCPF650N80Z
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FCPF650N80Z.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 800µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220F
Série

SuperFET® II
RDS ON (Max) @ Id, VGS

650 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max)

30.5W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1565pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

800V
Descrição detalhada

N-Channel 800V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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