FDAF59N30

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Especificações

Modelo do Produto

FDAF59N30
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDAF59N30.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3PF
Série

UniFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

56 mOhm @ 17A, 10V
Dissipação de energia (Max)

161W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

SC-94
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4670pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

300V
Descrição detalhada

N-Channel 300V 34A (Tc) 161W (Tc) Through Hole TO-3PF
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

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