Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

*Nome da Empresa
*Nome
*Título

*Endereço de e-mail
*Número de telefone

*País
*Janela de contato
*Data do evento

*Mensagem

Para visitantes da Electronica 2024

Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.

Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDB8870-F085

RFQs/Ordem (0)

Português

Português

4185690

Imagem FDB8870-F085.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8870-F085

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

800+

$1.228

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDB8870-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDB8870-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263AB
Série

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.9 mOhm @ 35A, 10V
Dissipação de energia (Max)

160W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

FDB8870-F085TR
FDB8870_F085
FDB8870_F085-ND
FDB8870_F085TR
FDB8870_F085TR-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

23A (Ta), 160A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

Expandindo a produção de painéis OLED, a LG Display inve...

A Amazon aumenta os esforços para criar chips de IA person...

O lucro líquido do terceiro trimestre de Pegatron foi de N...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

A Coréia do Sul planeja promulgar o ato de chip para comba...

Envio

Pagamento

O seguinte é "FDB8870-F085" produtos relacionados.

FDB8876

Descrição: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB8878

Descrição: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB86569-F085

Descrição: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB9403L-F085

Descrição: MOSFET N-CH 40V 110A

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB8880

Descrição: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB8832

Descrição: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

Descrição: MOSFET N-CH 40V

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB9403-F085

Descrição: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB8860

Descrição: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB9406-F085

Descrição: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB8896-F085

Descrição: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB86563-F085

Descrição: MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB86366-F085

Descrição: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB8870

Descrição: MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB86566-F085

Descrição: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB8832-F085

Descrição: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB8896

Descrição: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB86363-F085

Descrição: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB8874

Descrição: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

FDB8860-F085

Descrição: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.

SEGUE-NOS

termos e Condições Política de infração Solicitar uma cotação Sobre nós Contate-nos Mapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.