FDC3535

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Especificações

Modelo do Produto

FDC3535
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDC3535.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SuperSOT™-6
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

183 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.6W (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

FDC3535CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

30 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

80V
Descrição detalhada

P-Channel 80V 2.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.1A (Ta)

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