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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDC5612_F095

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Imagem FDC5612_F095.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC5612_F095

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDC5612_F095
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDC5612_F095.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SuperSOT™-6
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

55 mOhm @ 4.3A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.6W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.3A (Ta)

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