FDD5680

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Especificações

Modelo do Produto

FDD5680
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDD5680.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-252
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

21 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.8W (Ta), 60W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

FDD5680-ND
FDD5680TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1835pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 8.5A (Ta) 2.8W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8.5A (Ta)

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