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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDD6780A

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FDD6780A

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDD6780A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDD6780A.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D-PAK (TO-252)
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8.6 mOhm @ 16.4A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.7W (Ta), 32.6W (Tc)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

FDD6780ADKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1235pF @ 13V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

N-Channel 25V 16.4A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

16.4A (Ta), 30A (Tc)

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