FDD7N60NZTM

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Especificações

Modelo do Produto

FDD7N60NZTM
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDD7N60NZTM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D-Pak
Série

UniFET-II™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
Dissipação de energia (Max)

90W (Tc)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

FDD7N60NZTMDKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

23 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5.5A (Tc)

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