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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > FDG6321C-F169

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FDG6321C-F169

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDG6321C-F169
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

INTEGRATED CIRCUIT
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDG6321C-F169.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-88/SC70-6/SOT-363
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

450 mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V
Power - Max

300mW
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V, 62pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

Mosfet Array N and P-Channel 25V 500mA (Ta), 410mA (Ta) 300mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta), 410mA (Ta)

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