FDMA008P20LZ

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Especificações

Modelo do Produto

FDMA008P20LZ
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CHANNEL 20V 12A 6PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMA008P20LZ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-PQFN (2x2)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

13 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

2.4W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-PowerWDFN
Outros nomes

FDMA008P20LZ-ND
FDMA008P20LZOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4383pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 12A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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