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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDMC86102

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Imagem FDMC86102.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC86102

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMC86102
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 8-MLP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMC86102.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

Power33
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

24 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.3W (Ta), 41W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

FDMC86102-ND
FDMC86102TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

38 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

965pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 7A (Ta), 20A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount Power33
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

7A (Ta), 20A (Tc)

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