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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > FDMD8560L

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851024

Imagem FDMD8560L.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMD8560L

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

3000+

$1.845

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMD8560L
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMD8560L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-Power 5x6
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.2 mOhm @ 22A, 10V
Power - Max

2.2W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Outros nomes

FDMD8560LTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11130pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

128nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

22A, 93A

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