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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDMS10C4D2N

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FDMS10C4D2N

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$2.624

500+

$2.125

1000+

$1.792

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMS10C4D2N
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMS10C4D2N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-PQFN (5x6), Power56
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.2 mOhm @ 44A, 10V
Dissipação de energia (Max)

125W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

8-PowerSMD, Flat Leads
Outros nomes

FDMS10C4D2NOSCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

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