FDP045N10A

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Especificações

Modelo do Produto

FDP045N10A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDP045N10A.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220-3
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.5 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max)

263W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5270pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Descrição:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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