FDP2570

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Especificações

Modelo do Produto

FDP2570
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 150V 22A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.FDP2570.pdf
2.FDP2570.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220-3
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

80 mOhm @ 11A, 10V
Dissipação de energia (Max)

93W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Temperatura de operação

-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1911pF @ 75V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

150V
Descrição detalhada

N-Channel 150V 22A (Ta) 93W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

22A (Ta)

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