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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > FJN3301RTA

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81441

FJN3301RTA

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$0.034

50000+

$0.03

100000+

$0.027

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FJN3301RTA
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FJN3301RTA.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-92-3
Série

-
Power - Max

300mW
Embalagem

Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes

FJN3301RTA-ND
FJN3301RTATB
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

2 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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Forma de pagamento

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