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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQA33N10L

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5724000

Imagem FQA33N10L.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQA33N10L

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQA33N10L
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FQA33N10L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3P
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

52 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max)

163W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1630pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 36A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

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