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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQA55N10

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Imagem FQA55N10.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQA55N10

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQA55N10
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FQA55N10.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3P
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

26 mOhm @ 30.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

190W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2730pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

61A (Tc)

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