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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQAF10N80

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Imagem FQAF10N80.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQAF10N80

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQAF10N80
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FQAF10N80.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3PF
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.05 Ohm @ 3.35A, 10V
Dissipação de energia (Max)

113W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

SC-94
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

800V
Descrição detalhada

N-Channel 800V 6.7A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6.7A (Tc)

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