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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQB8N60CTM-WS

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891262

Imagem FQB8N60CTM-WS.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB8N60CTM-WS

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQB8N60CTM-WS
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 7.5A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FQB8N60CTM-WS.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK (TO-263AB)
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.13W (Ta), 147W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

FQB8N60CTM-WSCT
FQB8N60CTM_WSCT
FQB8N60CTM_WSCT-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1255pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

7.5A (Tc)

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