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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQD10N20LTF

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Imagem FQD10N20LTF.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQD10N20LTF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQD10N20LTF
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.FQD10N20LTF.pdf
2.FQD10N20LTF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-252, (D-Pak)
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

360 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta), 51W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

830pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

7.6A (Tc)

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Forma de pagamento

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Envio

Pagamento

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FQD12N20LTF

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FQD10N20TF

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FQD12N20LTM

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FQD13N06LTF

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